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            型號:IRF7832TRPBF
            是否Rohs認證: 符合
            生命周期:Active
            包裝說明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
            Reach Compliance Code:compliant
            ECCN代碼:EAR99
            HTS代碼:8541.29.00.95
            風險等級:0.83
            雪崩能效等級(Eas):260 mJ
            配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
            最小漏源擊穿電壓:30 V
            最大漏極電流 (ID):20 A
            最大漏源導通電阻:0.004 Ω
            FET 技術:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
            JEDEC-95代碼:MS-012AA
            JESD-30 代碼:R-PDSO-G8
            濕度敏感等級:1
            元件數量:1
            端子數量:8
            工作模式:ENHANCEMENT MODE
            封裝主體材料:PLASTIC/EPOXY
            封裝形狀:RECTANGULAR
            封裝形式:SMALL OUTLINE
            峰值回流溫度(攝氏度):NOT SPECIFIED
            極性/信道類型:N-CHANNEL
            最大脈沖漏極電流 (IDM):160 A
            表面貼裝:YES
            端子形式:GULL WING
            端子位置:DUAL
            處于峰值回流溫度下的最長時間:NOT SPECIFIED
            晶體管應用:SWITCHING
            晶體管元件材料:SILICON
            Base Number Matches:1
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