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            型號:IRF7807TRPBF
            是否無鉛:不含鉛
            是否Rohs認證:符合
            生命周期:Transferred
            IHS 制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
            零件包裝代碼:SOT
            包裝說明:SO-8
            針數:8
            Reach Compliance Code:unknown
            ECCN代碼:EAR99
            HTS代碼:8541.29.00.95
            風險等級:5.05
            Is Samacsys:N
            配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
            最小漏源擊穿電壓:30 V
            最大漏極電流 (Abs) (ID):8.3 A
            最大漏極電流 (ID):8.3 A
            最大漏源導通電阻:0.025 Ω
            FET 技術:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
            JESD-30 代碼:R-PDSO-G8
            JESD-609代碼:e3
            濕度敏感等級:1
            元件數量:1
            端子數量:8
            工作模式:ENHANCEMENT MODE
            最高工作溫度:150 °C
            封裝主體材料:PLASTIC/EPOXY
            封裝形狀:RECTANGULAR
            封裝形式:SMALL OUTLINE
            峰值回流溫度(攝氏度):260
            極性/信道類型:N-CHANNEL
            最大功率耗散 (Abs):2.5 W
            最大脈沖漏極電流 (IDM):66 A
            認證狀態:Not Qualified
            子類別:FET General Purpose Power
            表面貼裝:YES
            端子面層:Matte Tin (Sn)
            端子形式:GULL WING
            端子位置:DUAL
            處于峰值回流溫度下的最長時間:30
            晶體管應用:SWITCHING
            晶體管元件材料:SILICON
            Base Number Matches:1
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