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            IRF1310N產品參數
            型號:IRF1310N
            是否Rohs認證: 不符合
            生命周期:Active
            IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
            包裝說明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
            Reach Compliance Code:compliant
            ECCN代碼:EAR99
            風險等級:5.09
            其他特性:AVALANCHE RATED
            雪崩能效等級(Eas):420 mJ
            外殼連接:DRAIN
            配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
            最小漏源擊穿電壓:100 V
            最大漏極電流 (ID):42 A
            最大漏源導通電阻:0.036 Ω
            FET 技術:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
            JEDEC-95代碼:TO-220AB
            JESD-30 代碼:R-PSFM-T3
            元件數量:1
            端子數量:3
            工作模式:ENHANCEMENT MODE
            最高工作溫度:175 °C
            封裝主體材料:PLASTIC/EPOXY
            封裝形狀:RECTANGULAR
            封裝形式:FLANGE MOUNT
            峰值回流溫度(攝氏度):NOT SPECIFIED
            極性/信道類型:N-CHANNEL
            最大脈沖漏極電流 (IDM):140 A
            認證狀態:Not Qualified
            表面貼裝:NO
            端子形式:THROUGH-HOLE
            端子位置:SINGLE
            處于峰值回流溫度下的最長時間:NOT SPECIFIED
            晶體管應用:SWITCHING
            晶體管元件材料:SILICON
            Base Number Matches:1
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